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回收一切电子元件/回收工厂倒闭电子料/回收电子工厂库存电子料.工厂电子料,个人积压电子物料.回收各品牌手机IC，回收类型如：MXIC Winbond ISSI DICOM SPANSION EON Etron ESMT SST Micron NXP ON TEXAS INSTRUMENTSQualcomm SAmsung SKHynix MTk Sandisk 博通 美信 ADI等手 机芯片.现金回收手机CPU&&回收三星字库,回收SKHynix字库,回收Sandisk闪迪字库.回收MTK手机CPU等 长期大量回收IC/南北桥芯片/单片机IC/立琦IC/FLASH内存芯片/手机IC/废旧IC

回收手机配件：

MTK套片/高通芯片/展讯套片/英飞凌套片/液晶屏/触摸屏/手机主板/手机字库/排线/外壳/摄像头/连接器/背光源/电池/充电器/耳机...

回收电子元器件：

贴片发光灯/二极管/三极管/BGA/钽电容/电阻/电感/光头/电容/贴片丝/继电器/霍尔元件/连接器/晶振/滤波器/变压器/喇叭/开关电源...

回收电脑配件：

CPU/南北桥/内存条/硬盘/主板/网卡芯片/显卡芯片/声卡芯片/电源 ..

服务器/交换机/光纤模块...

 回收电子成品：

 收贴片三极管回收通信IC 回收MTFC2GMDEA-0M内存器芯片

回收K4X2G30D-AGC6内存器芯片

回收MX29F400CI-70G内存芯片,

回收AM29DL800-70ED内存芯片,

回收H9TP32A8JDMC内存器芯片

回收CY7C1019CV33-12ZC内存芯片,

回收KE0E000E-PGC2内存器芯片

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回收S29GL128N11TFIR2内存芯片,

回收TYC0FH121626RA内存器芯片

回收S29GL512P90TFI010 内存芯片 NOR FLASH

回收K4H510838F-HCB3内存芯片,

回收APQ80641AA内存器芯片

回收MT47H64M16NF-25E IT:M MICRON内存芯片 闪存芯片DDR2 1G

回收K4X2G32D-8GD8000内存器芯片

回收ADMTV102ACPZRL内存器芯片

回收AM29LV800BB-120EF内存芯片,先另收购库存

回收SST39VF512-70-3C-NH内存芯片,并库存

回收AT49LV1024-90VI内存芯片,

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回收K6R1008C1C-TI15内存闪存芯片.

回收MX29LV640ETTI-70G内存芯片,

回收一系列内存芯片SDRAM NAND FLASH AM29F032B-120EC

回收ICX663AKA内存器芯片

回收SR1019S内存器芯片

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回收S29JL032H70TAI31内存芯片,并库存

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回收S29GL512P10TFI02内存芯片,并库存

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回收MT46H32M16LFBF-5IT:C内存芯片,

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回收NT5CB256M16BP-DI内存器芯片

回收AM29F040-90FI内存芯片,

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回收MSP430G2333IPW28内存芯片,

回收FM28V100-TG 内存闪存芯片.

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电工的理论性、实践性很强，通过以下试题可以考察你对相关知识的掌握、理解情况，可以进一步提高你的业务水平，无论对新手、老手均是有益的。从今天开始陆续推出百题大战之辑，共有100道填空题、100道判断题、100道选择题、100道简单题、100道计算题、100道电路分析题，涵盖电工基础、模拟电子技术、数字电子技术、无线电等多方面的知识，有历年电工考证试题，有各大专科学校试题等，如果熟练解决这些问题，表明你的理论水平已经达到一个境界了。

根据光耦的导通特性，该电路的零点指示滞后实际交流电发生的零点。滞后时间可以根据光耦的导通电流计算，NEC2501的典型值是10ma，实际上，当前向电流达到1ma的时候光耦一般就已经导通了。现以1ma电流计算，电阻3×47k=141k,则电压为141V，相应的滞后零点时间约为1.5ms。假设0.5ma导通则电压为70V，则滞后时间为722us。光耦导通时间较长，即光耦电流由0变为导通电流这个渐变过程较长，导致光耦特性边缘时间差异明显，产品一致性差。