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  存储类FLASH芯片，如东芝，三星，海力士，镁光，华邦。 

    通信类电子元器件，如通信IC、通信模块、功率模块、CPLD、内存、大功率IBGT、DSP、服务器CPU、硬盘、服务器网卡等。 

    通讯类电子元器件，如通讯IC、电脑CPU、手机CPU、GPU、高通芯片、联发科芯片、内存FLASH、EMMC、鼠标IC、驱动IC等。 

    电源类电子元器件，如电源IC、MOS管、电解电容、钽电容、电源成品、IG模块、UPS主控MCU、DSP、电源板等。 

    家电类电子元器件，如家电IC、MCU、单片机、继电器、电解电容、MOS管、IBGT等。 

    工控类电子元器件，如工控IC、DSP、单片机、硬盘等。 

    安防类电子元器件，如安防IC、CCD、感光芯片、OV芯片、镁光芯片、摄像头及组件、主控等 

    汽车电子类电子元器件，如MCU、DSP、驱动芯片、单片机、内存FLASH、液晶屏、WIFI模块、收音模块、蓝牙芯片、CSR芯片、蓝牙模块等 

消费类电子元器件，如：数码相机主控、玩具用IC、内存、液晶屏等。 

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上图：不同磁路与步距之间的关系中图为相间磁路，定子节距相等，主极数合计为mP个，相邻A相和B相之间的节距与相内磁路节距相同，为360°/mP。A相激磁，与其极性相反的转子齿相对吸引。其次给B相激磁产生与A相相同的极性，吸引相应的转子齿。为便于理解，将多齿结构简化为单齿结构。此时，与A相所对转子齿和B相将相对的转子齿之间的节距为360°（n±1/2）/Nr（n整数），。故步距角为和之差：将θs=180°/PNr代入上式得：如相间磁路为三相，令P=3，则：Nr=m（3n±1）三相时，主磁极为3的倍数，简单的三相3主极时，m=1变成下式：Nr=3n±1下图为n=3，Nr=8的结构图，用上式Nr=3n±1和θs=180°/PNr，可计算求得Nr和θs，如下表所示。